تحتوي المادة البلورية المفردة من كربيد السيليكون (SiC) على عرض فجوة شريطية كبيرة (~Si 3 مرات)، وموصلية حرارية عالية (~Si 3.3 مرة أو GaAs 10 مرات)، ومعدل هجرة عالي للتشبع الإلكتروني (~Si 2.5 مرة)، وكهرباء عالية الانهيار المجال (~Si 10 مرات أو GaAs 5 مرات) وغيرها من الخصائص البارزة.
تتمتع أجهزة SiC بمزايا لا يمكن الاستغناء عنها في مجال درجات الحرارة العالية، والضغط العالي، والتردد العالي، والأجهزة الإلكترونية عالية الطاقة والتطبيقات البيئية القاسية مثل الفضاء الجوي، والعسكرية، والطاقة النووية، وما إلى ذلك، وتعوض عيوب أجهزة المواد شبه الموصلة التقليدية عمليًا التطبيقات، وأصبحت تدريجيا التيار الرئيسي لأشباه موصلات الطاقة.
مواصفات الركيزة كربيد السيليكون 4H-SiC
| البند 目 | المواصفات | |
| متعدد الأنواع | 4H-كربيد | 6H- كربيد |
| قطر الدائرة | 2 بوصة |3 بوصة |4 بوصة |6 بوصة | 2 بوصة |3 بوصة |4 بوصة |6 بوصة |
| سماكة | 330 ميكرومتر ~ 350 ميكرومتر | 330 ميكرومتر ~ 350 ميكرومتر |
| التوصيل | ن – النوع / شبه عازل | ن – النوع / شبه عازل |
| منشط | N2 ( نيتروجين ) V ( فاناديوم ) | N2 ( نيتروجين ) V ( فاناديوم ) |
| توجيه | على المحور <0001> | على المحور <0001> |
| المقاومة النوعية | 0.015 ~ 0.03 أوم سم | 0.02 ~ 0.1 أوم سم |
| كثافة الأنابيب الدقيقة (MPD) | ≥10/سم2 ~ ≥1/سم2 | ≥10/سم2 ~ ≥1/سم2 |
| تي تي في | ≥ 15 ميكرومتر | ≥ 15 ميكرومتر |
| القوس / الاعوجاج | ≥25 ميكرومتر | ≥25 ميكرومتر |
| سطح | دي إس بي/إس إس بي | دي إس بي/إس إس بي |
| درجة | درجة الإنتاج/البحث | درجة الإنتاج/البحث |
| تسلسل التراص البلوري | ABCB | ABCABC |
| معلمة شعرية | أ=3.076 أ، ج=10.053 أ | أ=3.073 أ، ج=15.117 أ |
| E/eV (فجوة النطاق) | 3.27 فولت | 3.02 فولت |
| ε (ثابت العزل الكهربائي) | 9.6 | 9.66 |
| مؤشر الانكسار | ن0 =2.719 ني =2.777 | ن0 =2.707 , ني =2.755 |
مواصفات الركيزة كربيد السيليكون 6H-SiC
| البند 目 | المواصفات |
| متعدد الأنواع | 6H-كربيد |
| قطر الدائرة | 4 بوصة |6 بوصة |
| سماكة | 350 ميكرومتر ~ 450 ميكرومتر |
| التوصيل | ن – النوع / شبه عازل |
| منشط | N2 (النيتروجين) |
| توجيه | <0001> قبالة 4°± 0.5° |
| المقاومة النوعية | 0.02 ~ 0.1 أوم سم |
| كثافة الأنابيب الدقيقة (MPD) | ≥ 10/سم2 |
| تي تي في | ≥ 15 ميكرومتر |
| القوس / الاعوجاج | ≥25 ميكرومتر |
| سطح | سي فيس: CMP، Epi-Ready |
| درجة | درجة البحث |
