باعتبارها واحدة من المكونات الأساسية لمعدات MOCVD، قاعدة الجرافيت هي الناقل وجسم التسخين للركيزة، والتي تحدد بشكل مباشر توحيد ونقاء مادة الفيلم، وبالتالي فإن جودتها تؤثر بشكل مباشر على تحضير الورقة الفوقي، وفي نفس الوقت، مع زيادة عدد الاستخدامات وتغيير ظروف العمل، من السهل جدًا ارتداؤها، وتنتمي إلى المواد الاستهلاكية.
على الرغم من أن الجرافيت يتمتع بموصلية حرارية واستقرار ممتازين، إلا أنه يتمتع بميزة جيدة كمكون أساسيمعدات MOCVD، ولكن في عملية الإنتاج، سوف يؤدي الجرافيت إلى تآكل المسحوق بسبب بقايا الغازات المسببة للتآكل والمواد العضوية المعدنية، وسيتم تقليل عمر خدمة قاعدة الجرافيت بشكل كبير.وفي الوقت نفسه، فإن مسحوق الجرافيت المتساقط سوف يسبب تلوثًا للرقاقة.
ظهور تكنولوجيا الطلاء يمكن أن يوفر تثبيت المسحوق السطحي، ويعزز التوصيل الحراري، ويعادل توزيع الحرارة، والتي أصبحت التكنولوجيا الرئيسية لحل هذه المشكلة.قاعدة الجرافيت فيمعدات MOCVDبيئة الاستخدام، يجب أن يلبي طلاء سطح قاعدة الجرافيت الخصائص التالية:
(1) يمكن تغليف قاعدة الجرافيت بالكامل، وتكون الكثافة جيدة، وإلا فمن السهل أن تتآكل قاعدة الجرافيت في الغاز المتآكل.
(2) قوة الجمع مع قاعدة الجرافيت عالية لضمان عدم سقوط الطلاء بسهولة بعد عدة دورات في درجات الحرارة المرتفعة ودرجات الحرارة المنخفضة.
(3) لديها استقرار كيميائي جيد لتجنب فشل الطلاء في درجات الحرارة المرتفعة والجو المسبب للتآكل.
يتمتع SiC بمزايا مقاومة التآكل، والتوصيل الحراري العالي، ومقاومة الصدمات الحرارية، والاستقرار الكيميائي العالي، ويمكن أن يعمل بشكل جيد في الغلاف الجوي الفوقي GaN.بالإضافة إلى ذلك، فإن معامل التمدد الحراري لـ SiC يختلف قليلًا جدًا عن معامل الجرافيت، لذلك فإن SiC هي المادة المفضلة لطلاء سطح قاعدة الجرافيت.
في الوقت الحاضر، SiC الشائع هو بشكل أساسي نوع 3C، 4H و6H، واستخدامات SiC لأنواع الكريستال المختلفة مختلفة.على سبيل المثال، يمكن لشركة 4H-SiC تصنيع أجهزة عالية الطاقة؛6H-SiC هو الأكثر استقرارًا ويمكنه تصنيع الأجهزة الكهروضوئية؛نظرًا لبنيته المشابهة لـ GaN، يمكن استخدام 3C-SiC لإنتاج الطبقة الفوقية لـ GaN وتصنيع أجهزة SiC-GaN RF.يُعرف 3C-SiC أيضًا باسمβ-SiC، واستخدام مهم لβ-SiC هو بمثابة فيلم ومواد طلاء، لذلكβ-SiC هي المادة الرئيسية للطلاء حاليًا.
وقت النشر: 06 نوفمبر 2023