وصف
تم تصميم مستقبلات رقاقة SiC من Semicorex الخاصة بـ MOCVD (ترسيب البخار الكيميائي المعدني العضوي) لتلبية المتطلبات الصارمة لعمليات الترسيب الفوقي. باستخدام كربيد السيليكون عالي الجودة (SiC)، توفر هذه المستقبلات متانة وأداء لا مثيل لهما في البيئات ذات درجات الحرارة العالية والتآكل، مما يضمن النمو الدقيق والفعال للمواد شبه الموصلة.
الميزات الرئيسية:
1. خصائص المواد متفوقةتتميز أجهزة استشعار الرقاقة لدينا، المصنوعة من SiC عالي الجودة، بموصلية حرارية استثنائية ومقاومة كيميائية. هذه الخصائص تمكنهم من تحمل الظروف القاسية لعمليات MOCVD، بما في ذلك درجات الحرارة المرتفعة والغازات المسببة للتآكل، مما يضمن طول العمر والأداء الموثوق.
2. الدقة في الترسيب الفوقيتضمن الهندسة الدقيقة لحساسات رقاقة SiC الخاصة بنا توزيعًا موحدًا لدرجة الحرارة عبر سطح الرقاقة، مما يسهل نمو الطبقة الفوقي بشكل متسق وعالي الجودة. تعتبر هذه الدقة أمرًا بالغ الأهمية لإنتاج أشباه الموصلات ذات الخصائص الكهربائية المثالية.
3. تعزيز المتانةتوفر مادة SiC القوية مقاومة ممتازة للتآكل والتدهور، حتى في ظل التعرض المستمر لبيئات العمليات القاسية. تقلل هذه المتانة من تكرار عمليات استبدال المستشعر، مما يقلل من وقت التوقف عن العمل وتكاليف التشغيل.
التطبيقات:
تعتبر أدوات تقوية رقاقة SiC من Semicorex لـ MOCVD مناسبة بشكل مثالي لما يلي:
• النمو الفوقي للمواد شبه الموصلة
• عمليات MOCVD ذات درجة الحرارة العالية
• إنتاج GaN، AlN، وأشباه الموصلات المركبة الأخرى
• تطبيقات تصنيع أشباه الموصلات المتقدمة
المواصفات الرئيسية لطلاءات CVD-SIC:
فوائد:
•دقة عالية: يضمن نموًا فوقيًا موحدًا وعالي الجودة.
•أداء طويل الأمد: المتانة الاستثنائية تقلل من تكرار الاستبدال.
• فعالية التكلفة: يقلل تكاليف التشغيل من خلال تقليل وقت التوقف عن العمل والصيانة.
•براعة: قابلة للتخصيص لتناسب متطلبات عملية MOCVD المختلفة.
