-
عملية تصنيع أشباه الموصلات – تكنولوجيا الحفر
هناك حاجة إلى مئات العمليات لتحويل الرقاقة إلى أشباه الموصلات. إحدى أهم العمليات هي الحفر - أي نحت أنماط الدوائر الدقيقة على الرقاقة. يعتمد نجاح عملية النقش على إدارة المتغيرات المختلفة ضمن نطاق توزيع محدد، وكل نقش...اقرأ المزيد -
المادة المثالية لحلقات التركيز في معدات الحفر بالبلازما: كربيد السيليكون (SiC)
في معدات الحفر بالبلازما، تلعب المكونات الخزفية دورًا حاسمًا، بما في ذلك حلقة التركيز. تعد حلقة التركيز، الموضوعة حول الرقاقة وعلى اتصال مباشر بها، ضرورية لتركيز البلازما على الرقاقة عن طريق تطبيق الجهد الكهربي على الحلقة. وهذا يعزز الأمم المتحدة ...اقرأ المزيد -
تأثير المعالجة البلورية المفردة لكربيد السيليكون على جودة سطح الرقاقة
تحتل أجهزة الطاقة شبه الموصلة مكانة أساسية في أنظمة الطاقة الإلكترونية، خاصة في سياق التطور السريع لتقنيات مثل الذكاء الاصطناعي واتصالات 5G ومركبات الطاقة الجديدة، وقد تم تحديد متطلبات الأداء لها ...اقرأ المزيد -
المادة الأساسية الرئيسية لنمو SiC: طلاء كربيد التنتالوم
في الوقت الحاضر، يهيمن كربيد السيليكون على الجيل الثالث من أشباه الموصلات. وفي هيكل تكلفة أجهزتها، تمثل الركيزة 47%، والفوقية 23%. ويشكل الاثنان معًا حوالي 70%، وهو الجزء الأكثر أهمية في تصنيع جهاز كربيد السيليكون.اقرأ المزيد -
كيف تعمل المنتجات المطلية بكربيد التنتالوم على تعزيز مقاومة المواد للتآكل؟
طلاء كربيد التنتالوم هو تقنية معالجة سطحية شائعة الاستخدام يمكنها تحسين مقاومة المواد للتآكل بشكل كبير. يمكن ربط طلاء كربيد التنتالوم بسطح الركيزة من خلال طرق تحضير مختلفة، مثل ترسيب البخار الكيميائي،...اقرأ المزيد -
بالأمس، أصدر مجلس الابتكار العلمي والتكنولوجي إعلانًا يفيد بأن شركة Huazhuo Precision Technology أنهت طرحها العام الأولي!
أعلنت للتو عن تسليم أول معدات التلدين بالليزر SIC مقاس 8 بوصة في الصين، وهي أيضًا تقنية Tsinghua؛ لماذا سحبوا المواد بأنفسهم؟ بضع كلمات فقط: أولاً، المنتجات متنوعة للغاية! للوهلة الأولى، لا أعرف ماذا يفعلون. وفي الوقت الحاضر، ح...اقرأ المزيد -
طلاء كربيد السيليكون CVD-2
طلاء كربيد السيليكون CVD 1. لماذا يوجد طلاء كربيد السيليكون؟ الطبقة الفوقي عبارة عن طبقة رقيقة محددة من الكريستال المفرد تنمو على أساس الرقاقة من خلال العملية الفوقي. يُطلق على رقاقة الركيزة والأغشية الرقيقة الفوقي مجتمعة اسم الرقائق الفوقي. ومن بينها ...اقرأ المزيد -
عملية تحضير طلاء SIC
في الوقت الحاضر، تتضمن طرق تحضير طلاء SiC بشكل أساسي طريقة الجل-سول، وطريقة التضمين، وطريقة طلاء الفرشاة، وطريقة رش البلازما، وطريقة تفاعل البخار الكيميائي (CVR) وطريقة ترسيب البخار الكيميائي (CVD). طريقة التضمين هذه الطريقة هي نوع من المرحلة الصلبة ذات درجة الحرارة العالية ...اقرأ المزيد -
طلاء كربيد السيليكون CVD-1
ما هو ترسيب البخار الكيميائي CVD SiC (CVD) هو عملية ترسيب فراغي تستخدم لإنتاج مواد صلبة عالية النقاء. تُستخدم هذه العملية غالبًا في مجال تصنيع أشباه الموصلات لتشكيل أغشية رقيقة على سطح الرقاقات. في عملية تحضير SiC بواسطة CVD، يتم اختبار الركيزة...اقرأ المزيد -
تحليل بنية الخلع في بلورات SiC عن طريق محاكاة تتبع الأشعة بمساعدة التصوير الطوبولوجي للأشعة السينية
الخلفية البحثية أهمية تطبيق كربيد السيليكون (SiC): باعتباره مادة شبه موصلة واسعة النطاق، فقد اجتذب كربيد السيليكون الكثير من الاهتمام بسبب خصائصه الكهربائية الممتازة (مثل فجوة النطاق الأكبر، وسرعة تشبع الإلكترون الأعلى والتوصيل الحراري). هذه الدعائم...اقرأ المزيد -
عملية تحضير بلورة البذور في نمو بلورة مفردة من كربيد السيليكون 3
التحقق من النمو تم تحضير بلورات بذور كربيد السيليكون (SiC) باتباع العملية الموضحة والتحقق من صحتها من خلال نمو بلورات SiC. منصة النمو المستخدمة عبارة عن فرن نمو بالحث من SiC تم تطويره ذاتيًا مع درجة حرارة نمو تبلغ 2200 درجة مئوية، وضغط نمو يبلغ 200 باسكال، وفرن نمو...اقرأ المزيد -
عملية تحضير بلورة البذور في نمو بلورة مفردة من كربيد السيليكون (الجزء الثاني)
2. العملية التجريبية 2.1 معالجة الفيلم اللاصق لقد لوحظ أن إنشاء فيلم كربون أو ربطه مباشرة بورق الجرافيت على رقائق SiC المطلية بمادة لاصقة أدى إلى عدة مشكلات: 1. في ظل ظروف الفراغ، طور الفيلم اللاصق على رقائق SiC مظهرًا يشبه الحراشف بسبب للتوقيع...اقرأ المزيد