عملية تحضير طلاء SIC

في الوقت الحاضر، طرق التحضيرطلاء سيكوتشمل بشكل رئيسي طريقة هلام سول، طريقة التضمين، طريقة طلاء الفرشاة، طريقة رش البلازما، طريقة تفاعل البخار الكيميائي (CVR) وطريقة ترسيب البخار الكيميائي (CVD).

طريقة التضمين
هذه الطريقة هي نوع من تلبيد الطور الصلب ذو درجة الحرارة العالية، والذي يستخدم بشكل أساسي مسحوق Si ومسحوق C كمسحوق تضمين، ويضعمصفوفة الجرافيتفي مسحوق التضمين، والملبدات عند درجة حرارة عالية في غاز خامل، وأخيراً يتم الحصول عليهاطلاء سيكعلى سطح مصفوفة الجرافيت. هذه الطريقة بسيطة في المعالجة، ويتم ربط الطلاء والمصفوفة جيدًا، لكن تجانس الطلاء على طول اتجاه السُمك ضعيف، ومن السهل إنتاج المزيد من الثقوب، مما يؤدي إلى ضعف مقاومة الأكسدة.

طريقة طلاء الفرشاة
طريقة طلاء الفرشاة تقوم بشكل أساسي بتنظيف المواد الخام السائلة على سطح مصفوفة الجرافيت، ثم تصلب المواد الخام عند درجة حرارة معينة لتحضير الطلاء. هذه الطريقة بسيطة في المعالجة ومنخفضة التكلفة، لكن الطلاء الذي تم إعداده بواسطة طريقة طلاء الفرشاة له رابطة ضعيفة مع المصفوفة، وتجانس طلاء رديء، وطلاء رقيق ومقاومة أكسدة منخفضة، ويتطلب طرقًا أخرى للمساعدة.

طريقة رش البلازما
تستخدم طريقة رش البلازما بشكل أساسي مسدس البلازما لرش المواد الخام المنصهرة أو شبه المنصهرة على سطح ركيزة الجرافيت، ثم تصلب وتترابط لتشكيل طبقة. هذه الطريقة سهلة التشغيل ويمكن تحضيرها بشكل كثيف نسبيًاطلاء كربيد السيليكون، ولكنطلاء كربيد السيليكونغالبًا ما تكون هذه الطريقة التي يتم تحضيرها ضعيفة جدًا بحيث لا تتمتع بمقاومة أكسدة قوية، لذلك يتم استخدامها بشكل عام لإعداد الطلاءات المركبة من SiC لتحسين جودة الطلاء.

طريقة جل سول
تقوم طريقة هلام-سول بشكل أساسي بإعداد محلول سول موحد وشفاف لتغطية سطح الركيزة، وتجفيفه إلى هلام، ثم تلبيده للحصول على طلاء. هذه الطريقة سهلة التشغيل ومنخفضة التكلفة، لكن الطلاء المُجهز له عيوب مثل مقاومة الصدمات الحرارية المنخفضة والتشقق السهل، ولا يمكن استخدامه على نطاق واسع.

طريقة تفاعل البخار الكيميائي (CVR)
يقوم CVR بشكل أساسي بتوليد بخار SiO باستخدام مسحوق Si وSiO2 عند درجة حرارة عالية، وتحدث سلسلة من التفاعلات الكيميائية على سطح ركيزة المادة C لتوليد طلاء SiC. يتم ربط طلاء SiC المحضر بهذه الطريقة بإحكام بالركيزة، ولكن درجة حرارة التفاعل مرتفعة والتكلفة مرتفعة أيضًا.